三星电子提高NAND Flash产线产能利用率至80%

三星电子在韩国平泽园区的V8 NAND Flash产线产能利用率已达到80%，较第二季度的60%-70%显著提升。这一变化主要得益于人工智能对存储芯片的需求增加，以及NAND Flash市场价格的上涨。三星的V8 NAND Flash产品自2022年底开始量产，堆叠层数达236层，月产能约为10万片晶圆。