Samsung Electronics aumenta la utilización de la capacidad de la línea de producción de memoria NAND Flash al 80%

La línea de producción de memorias flash NAND V8 de Samsung Electronics, ubicada en su campus de Pyeongtaek (Corea del Sur), ha alcanzado el 80 % de su capacidad, un aumento significativo respecto al rango del 60 % al 70 % del segundo trimestre. Este cambio se debe principalmente a la creciente demanda de chips de memoria impulsada por la inteligencia artificial (IA) y al aumento de los precios de las memorias flash NAND. La memoria flash NAND V8 de Samsung, cuya producción en masa comenzará a finales de 2022, cuenta con una pila de 236 capas y una capacidad de producción mensual de aproximadamente 100 000 obleas.