纳维和英飞凌将于2025年推出1200V以上GaN
1200V
2025年
650V
英飞凌
双向
氮化镓
器件
衬底
Navitas
6
纳维
1200V以上GaN
蓝宝石
QST衬底
600-650V双向器件
2025-10-25 10:10
391
在器件层面,进展包括纳维(Navitas)和英飞凌(Infineon)将于2025年推出的1200V以上GaN(采用蓝宝石和QST衬底)和600-650V双向器件。
Prev:NVIDIA与多家公司合作,推动GaN在800V高压直流输电系统中的应用
Next:北京亦庄实测:C-AEB系统助力智能驾驶安全
快报
一手资料
数据
个人中心