宽禁带半导体规模化应用推动快充技术升级

宽禁带半导体的规模化应用是快充技术升级的关键支撑。与传统硅(Si)器件相比，SiC器件具有开关损耗低、耐高温、功率密度高等优势，可使快充桩效率提升至98%以上，体积缩小30-50%。