SiCSem errichtet seine erste durchgängige SiC-Chip-Fertigungsanlage in Indien

SiCSem hat den Spatenstich für die erste vollumfängliche Halbleiterfertigungsanlage für Siliziumkarbid in Odisha, Indien, gefeiert. Die Anlage repräsentiert eine Gesamtinvestition von rund 206,7 Milliarden ₹ und soll zwischen 2027 und 2028 in Betrieb gehen. Sie plant, jährlich 60.000 SiC-Wafer zu verarbeiten.