Wayvis计划建设射频GaN新工厂，预计2027年投产

Wayvis计划发行价值335亿韩元的可转换债券，用于投资建设下一代射频氮化镓半导体及一体化生产基地。该基地将配备超高频射频氮化镓半导体生产设备，并计划于2027年初投入运营。