웨이비스는 2027년에 생산을 시작할 예정인 새로운 RF GaN 공장을 건설할 계획입니다.

웨이비스는 차세대 무선주파수 질화갈륨(GaN) 반도체 및 통합 생산 시설 건설에 투자하기 위해 335억 원 규모의 전환사채를 발행할 계획입니다. 이 시설에는 초고주파 GaN 반도체 생산 장비가 설치될 예정이며, 2027년 초 가동을 시작할 예정입니다.