GlobalWafersが12インチSiCウエハーの開発に成功

GlobalWafersは、コア技術の研究開発で大きな進歩を遂げ、正方形のシリコンカーバイド（SiC）ウェーハと画期的な12インチシリコンカーバイド（SiC）ウェーハのプロトタイプ開発を成功裏に完了し、正式に顧客サンプルおよび検証段階に入ったと発表した。