GlobalWafers desarrolla con éxito obleas de SiC de 12 pulgadas.

GlobalWafers anunció un importante avance en la investigación y el desarrollo de tecnología central, completando con éxito el desarrollo del prototipo de obleas cuadradas de carburo de silicio (SiC) y una oblea histórica de carburo de silicio (SiC) de 12 pulgadas, y ha entrado oficialmente en la etapa de muestreo y verificación de clientes.