未来3D NAND技术的发展趋势
3D
Gbit
NAND
芯片
容量
闪存
存储
集成
预计
发展
目标
2030年
存储器
3D NAND
技术
NAND闪存
3D NAND技术
存储容量
气隙集成
电荷陷阱层分离
超
2025-11-11 08:21
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随着3D NAND技术的不断发展,预计到2030年,存储器行业将能够实现超过1000层的3D NAND闪存芯片,存储容量将达到约100 Gbit/mm²。为了实现这一目标,行业正在探索多种新技术,包括气隙集成和电荷陷阱层分离。
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