武汉新芯50纳米浮栅式代码型闪存芯片全线量产

2024-05-13 13:07
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2020年,武汉新芯宣布其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片实现全线量产。目前,武汉新芯可提供40nm及以上工艺制程的12英寸NOR Flash、CIS和Logic晶圆代工与技术服务。