国内碳化硅衬底技术取得突破

在国内，碳化硅衬底技术已取得重要突破。山东天岳公司、北京天科合达公司和河北同光晶体公司分别与山东大学、中科院物理所和中科院半导体所进行技术合作与转化，成功研发出6英寸导电性SiC衬底和高纯半绝缘SiC衬底。此外，国内企业已实现4英寸衬底的量产，并在6英寸衬底研发方面取得进展。