ボッシュグループは、8インチのシリコンウエハー工場をSiCチップの生産に転換する予定です。

米国商務省は、ボッシュ社と暫定合意に達しました。同社は、同社のシリコンカーバイドパワー半導体工場の改修と生産能力増強のため、最大2億2,500万ドルの補助金と約3億5,000万ドルの政府融資を提案しています。ボッシュ社は、2026年に最初の8インチシリコンカーバイドチップを生産する予定です。