深圳平湖实验室在SiC JFET技术上取得重大突破

深圳平湖实验室近日宣布，其第三代跃升课题组在碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术方面取得了重要进展。他们成功研发出了一款750V平面型SiC JFET器件，其技术指标达到了国际先进水平。该器件的击穿电压超过980V，比导通电阻低至1.3mΩ·cm²，栅极寄生电阻小于2Ω（@35mΩ规格器件），这些技术参数都优于国际同类平面型SiC JFET产品。