安森美半导体的vGaN器件可承受1200V及以上的电压

根据已公布的性能指标，垂直氮化镓（vGaN）器件可承受1200V及以上的电压，原型器件甚至可达3300V。基于vGaN的系统据称可将功率转换损耗降低高达50%。该器件更高的开关频率使得电感器、电容器和磁性元件的尺寸得以相应缩小。