ON Semiconductor et Innoscience ont signé un protocole d'accord pour promouvoir conjointement l'application généralisée des dispositifs de puissance en nitrure de gallium.

On Semiconductor et Innoscience ont annoncé aujourd'hui la signature d'un protocole d'accord visant à évaluer les opportunités d'accélérer le déploiement des dispositifs de puissance en nitrure de gallium (GaN), en commençant par les dispositifs de 40 à 200 V, et à élargir significativement leur clientèle. La collaboration décrite dans ce protocole d'accord associe le leadership d'On Semiconductor dans les systèmes intégrés et le packaging à la technologie GaN éprouvée d'Innoscience et à ses capacités de production à grande échelle afin de proposer des produits GaN performants et économiques pour les marchés de l'industrie, de l'automobile, des infrastructures de télécommunications, de l'électronique grand public et des centres de données d'IA.