On Semiconductor und Innoscience unterzeichnen eine Absichtserklärung

On Semiconductor und Innoscience gaben heute die Unterzeichnung einer Absichtserklärung (MoU) bekannt, um Möglichkeiten zur beschleunigten Einführung von Galliumnitrid (GaN)-Leistungshalbleitern zu prüfen. Der Fokus liegt zunächst auf 40-200-V-Leistungshalbleitern und einer deutlichen Erweiterung des Kundenstamms. Die in der Absichtserklärung beschriebene Zusammenarbeit vereint On Semiconductors führende Expertise in integrierten Systemen und Packaging mit Innosciences ausgereifter GaN-Technologie und Produktionskapazitäten für große Stückzahlen. Ziel ist die Bereitstellung kosteneffizienter und hocheffizienter GaN-Produkte für die Branchen Industrie, Automobil, Telekommunikationsinfrastruktur, Unterhaltungselektronik und KI-Rechenzentren.