On Semiconductor e Innoscience firman un memorando de entendimiento

On Semiconductor e Innoscience anunciaron hoy la firma de un Memorando de Entendimiento (MdE) para evaluar las oportunidades de acelerar el despliegue de dispositivos de potencia de nitruro de galio (GaN), comenzando con dispositivos de 40-200 V y ampliando significativamente la base de clientes. La colaboración descrita en el MdE combina el liderazgo de On Semiconductor en sistemas integrados y empaquetado con la tecnología GaN consolidada de Innoscience y su capacidad de producción a gran escala para ofrecer productos GaN rentables y de alta eficiencia para los mercados industrial, automotriz, de infraestructuras de telecomunicaciones, electrónica de consumo y centros de datos de IA.