作为国内最早从事碳化硅器件研发的企业之一,飞锃半导体已累计出货1200 V碳化硅器件3400万颗,特别是在充电桩市场占有50%份额。飞锃半导体推出了其第四代碳化硅MOSFET,通过优化元胞工艺和终端结构,将RSP降至1.8mΩ·cm²,显著提升了电流输出能力和降低了系统成本。这一技术同时实现了静态损耗降低30%和动态损耗优化16%。
作为国内最早从事碳化硅器件研发的企业之一,飞锃半导体已累计出货1200 V碳化硅器件3400万颗,特别是在充电桩市场占有50%份额。飞锃半导体推出了其第四代碳化硅MOSFET,通过优化元胞工艺和终端结构,将RSP降至1.8mΩ·cm²,显著提升了电流输出能力和降低了系统成本。这一技术同时实现了静态损耗降低30%和动态损耗优化16%。
