普兴电子投资3.5亿扩大SiC外延片生产能力

普兴电子宣布投资3.5亿元用于扩大6英寸SiC外延片的生产能力。该项目计划建设面积约4000平方米的生产线，并购置116台(套)SiC外延及相关设备。预计建成后，公司将实现年产24万片SiC外延片的目标。普兴电子自2016年开始研发SiC，并于2019年实现6寸SiC外延片的量产。目前，公司主要生产1200V MOS产品，已通过车规级验证，应用于新能源车主驱模块。普兴电子计划加快8英寸SiC外延的扩产步伐，并布局第四代半导体材料的研发。