英特尔推出基于300毫米硅基氮化镓的氮化镓芯粒技术

英特尔代工的研究人员在IEDM 2025上展示了基于300毫米硅基氮化镓(GaN-on-Silicon)工艺的芯粒技术，面向高性能、高密度、高效率的电力电子以及高速射频电子(RF Electronics)应用。