近年来,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)技术因其在高频率、高效率和高功率密度方面的优势,正逐渐成为汽车电源管理和射频领域的重要技术。然而,将其应用于汽车领域仍面临诸多挑战,包括材料缺陷控制、异质结界面精确控制、寄生效应抑制以及高可靠性实现等。尽管如此,工程师们仍在不断努力,推动GaN技术在汽车行业的应用。
近年来,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)技术因其在高频率、高效率和高功率密度方面的优势,正逐渐成为汽车电源管理和射频领域的重要技术。然而,将其应用于汽车领域仍面临诸多挑战,包括材料缺陷控制、异质结界面精确控制、寄生效应抑制以及高可靠性实现等。尽管如此,工程师们仍在不断努力,推动GaN技术在汽车行业的应用。
