台积电N2工艺芯片量产启动

台积电宣布已开始量产采用其N2（2nm级）工艺的芯片，该工艺采用第一代纳米片晶体管技术，在性能和功耗方面实现了全节点提升。台积电还开发了低电阻重分布层（RDL）和超高性能金属-绝缘体-金属（MiM）电容器，以进一步提升性能。