台积电采用多重曝光方法实现1.6nm制程
ASML
EUV
研发
制程
光刻
光刻机
成本
半导体
效率
目标
生产
2024-05-22 18:24
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台积电在最新的研发进展中透露,通过采用多重曝光方法,公司已成功实现在现有的EUV光刻机上实现1.6nm制程的目标。这一突破性技术将为半导体行业带来更高的生产效率和更低的成本。
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