旭化成子公司Crystal IS成功制造4英寸氮化铝单晶衬底

2024年6月12日，旭化成宣布其位于美国纽约的子公司Crystal IS成功制造出4英寸（直径100毫米）氮化铝（AlN）单晶衬底，其可用面积超过99%，现已投入使用。该公司计划从2024年下半年开始向日本和海外的半导体器件制造商提供这种样品衬底。