长飞先进武汉基地封顶，预计明年7月量产通线

长飞先进武汉基地近日完成了主体结构封顶，该基地主要专注于第三代半导体功率器件的研发和生产，预计总投资超过200亿元。项目占地约22.94万平方米，总建筑面积约30.15万平方米，主要包括晶圆制造厂房、封装厂房等设施。预计明年7月将实现量产通线，年产36万片SiC晶圆及外延、6100万个功率器件模块，广泛应用于新能源汽车、光储充等领域。长飞先进半导体公司2023年完成了超过38亿元的A轮融资。