韩国SK启方半导体在GaN器件上取得突破

近日，韩国SK启方半导体公司在GaN器件领域取得重要突破，宣布将于年底完成650V氮化镓HEMT的开发。SK启方半导体成立于2020年，专注于8英寸氮化镓工艺技术的研发。SK启方半导体已于2023年第三季度采购爱思强的金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备，以加快8英寸GaN代工服务的商业化进程，目标是在2025年至2026年实现这一目标。