芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡

芯粤能的SiC芯片制造项目一期已进入产能爬坡阶段，预计年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。该项目总投资额为75亿元，主要产品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件。