韩国SK Key Foundry确认650伏氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件特性

韩国8英寸纯晶圆代工厂SK Key Foundry近日宣布，已成功确认650伏氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的特性，并正在加大开发力度，预计年内完成开发。GaN以其高速开关和低电阻特性而闻名，被认为是下一代功率半导体，相较于现有硅（Si）基半导体，GaN具有更低损耗、更高效率和更小体积的优势。主要应用领域包括电源、混合动力和电动汽车、太阳能逆变器等。SK Key Foundry计划为现有功率半导体用户推广650V GaN HEMT，并寻求新客户。此外，该公司还计划扩充GaN产品组合，为GaN HEMT和GaN IC提供多种电压选项。