湖南三安半导体发布8英寸碳化硅单晶材料进展报告

湖南三安半导体公司总经理助理高玉强博士提出，降低成本是碳化硅产业链的关键，特别是衬底和外延部分。尽管液相法被广泛提及，但气相法仍是主流量产工艺。此外，碳化硅的良率和生长速度仍待提高。三安半导体的8英寸衬底加外延损失约为4%，且面临切割难度大的问题。未来，降低厚度将是降低成本的主要方向。