日本中央硝子开发新型SiC衬底制造技术

日本中央硝子公司近日宣布，已成功开发出一种新的碳化硅（SiC）衬底制造技术。这种新技术的优点在于能够降低成本和提高产量，相较于传统的高温升华法，液相法在制造大尺寸和高品质的SiC衬底上具有明显优势。预计新技术的应用可以使衬底的制造成本降低10%以上，同时大幅提高良率。日本中央硝子公司已经开始与欧美的大型半导体企业等展开商讨，目的是让客户采用以新技术制作的SiC衬底。中央硝子计划最早于2024年夏天开始向客户提供样品，并在2027～2028年实现商业化。