北一半导体SiC业务进展

2018年，北一半导体成立了SiC芯片开发项目组，开始进行SiC二极管及MOSFET芯片的调研和规划。2019年，公司成功产出1200V 20A SiC JBS二极管，并通过了工业级可靠性考核。2021年，公司的1200V SiC JBS二极管及MOSFET分立器件在电源领域获得了批量订单。2022年，北一半导体完成了1200V等级SiC MPS芯片的开发，浪涌电流达到了12倍额定电流。此外，公司的新能源汽车用750V、1200V等级IGBT及SiC模块也获得了小批量订单。2023年，北一半导体完成了650V及1200V沟槽栅SiC MOSFET芯片的设计。