天岳先进宣布将筹集3亿元人民币用于其8英寸车规级碳化硅衬底制备技术提升项目,该项目的主要研发方向包括SiC生长热场仿真、SiC单晶应力控制等。该项目总投资预计约为3.86亿元,建设周期为24个月,将在上海天岳现有厂区进行。目前,该项目已完成备案,环评手续正在准备中。