台积电2nm制程工艺进展顺利

台积电计划于下周在新竹宝山的晶圆厂开始试产2nm制程芯片，比市场预期提前了一个季度。试产将包括测试所需设备和零组件，这些设备和零组件已于第二季度开始安装。台积电表示，2nm制程相较于3nm，性能提升10%至15%，功耗最多可降低30%。台积电将从2nm工艺开始应用GAA纳米片晶体管结构，并引入背面供电（BSPR）技术，预计2026年开始量产。