董秘您好，今日看文章得知液相SiC衬底制备法相较于PVT法SiC衬底制备有明显的成本优势，不知公司在液相法方面有没有展开研究，若有，是否有小试或中试产线？另外，美国限制出口的第四代半导体材料也是徐现刚教授的研究方向之一，公司是否与山大有关于第四代半导体的产业化合作？如有保密要求，您可以回答：过于先进，不便于展示。谢谢！

天岳先进：尊敬的投资者，您好！碳化硅衬底制备技术包括PVT法（物理气相传输法）、溶液法和高温气相化学沉积法等，目前行业内碳化硅单晶生长主要采用PVT法。公司深耕碳化硅衬底领域十几年，始终布局技术发展前沿，“液相法碳化硅单晶制备技术”是公司较早布局的相关技术之一。公司始终坚持“硬科技”，紧密跟踪行业技术发展趋势，坚持研发创新为公司长远发展的生命力，把握半导体产业发展机遇，持续夯实自身经营能力，努力拓宽盈利增长点，不断致力于提升公司价值。敬佩和感谢您对行业的深入了解，对公司的关注和支持，祝您生活愉快！