瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的SiC工艺及器件设计、SiC MOSFET驱动芯片设计核心团队,自成立之日起便启动6英寸SiCMOSFET的产品研发工作。成为中国第一家掌握6英寸SiCMOSFET和SBD工艺,以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。2020年9月份第一颗SiC MOSFET 1200V 80mOhm通过JEDEC认证,截至当前累计收到超过KKpcs的SiC MOSFET采购需求与订单。瞻芯电子于2021年9月正式宣布量产1200V 25mΩ Full-SiC(IV1B)半桥功率模块,在现有SiC MOSFET产品和SiC SBD产品基础上,进一步完善了瞻芯电子SiC产品线,在工业电源、光伏应用等领域,为中等电流SiC应用提供了一种简单灵活的解决方案。2024年6月,瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET发布,现有3款产品:IV3Q12013T4Z,IV3Q12013BA,IV3Q12013BD,主要用于车载电驱动系统,凭借出色的性能表现,已获得多家车载电驱动客户的项目定点。