Apro Semicon完成50亿韩元的A轮投资，启动500亿韩元的B轮融资

Apro Semicon公司近日宣布，已成功开发出8英寸1200V硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片，并计划于今年年底开始大规模生产。该产品具有高达1600V的击穿电压，能够实现高效的功率转换，且外延片的质量和厚度均匀性已达到99%。继去年成功获得50亿韩元的A轮投资后，Apro Semicon目前正在寻求500亿韩元的B轮融资，以加速其GaN外延片的大规模生产。部分融资将用于引进新的MOCVD设备，以进一步投资其位于龟尾的GaN外延片量产工厂。