青禾晶元实现8英寸SiC键合衬底制备

中国青禾晶元公司在4月宣布成功突破8英寸SiC键合衬底制备。此外，青禾晶元还投资9.9亿元在天津高新区建设国内首条复合SiC衬底生产线，该产线已于去年5月正式通线，规划产能3万片/年。