三星电子在人工智能存储芯片领域取得进展

三星电子在开发对人工智能（AI）市场至关重要的存储芯片方面遭遇一系列挫折后，开始在缩小与竞争对手SK海力士的差距方面取得进展。三星已获得英伟达对其高带宽存储器（HBM）芯片HBM3期待已久的批准，并预计下一代HBM3E将在2~4个月内获得批准。三星在7月31日的第二季度财报会议上表示，第五代8层HBM3E产品目前正接受客户评估，计划今年第三季度实现量产。