天科合达扩建碳化硅衬底产业化基地

天科合达宣布其位于北京的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地将进行二期项目建设。该基地位于北京市大兴区，预计总占地面积将达到52790.032平方米，总建筑面积为105913.29平方米。项目将包括新的生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼以及门卫等设施。此外，公司将购置新的工艺设备，包括长晶及附属、晶体加工、晶片加工等设备，并计划建立6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心。项目建成后，预计每年能生产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中包括23.6万片6英寸导电型碳化硅衬底和13.5万片8英寸导电型碳化硅衬底。