三菱电机集团近日(2024年1月23日)宣布即将推出六款用于各种电动汽车(xEV)的新型J3系列功率半导体模块,这些模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC-MOSFET) 或 RC-IGBT (Si)*1,具有紧凑的设计和可扩展性,可用于电动汽车 (EV) 和插电式混合动力汽车 (PHEV) 的逆变器。三菱电机计划以翻番的投资数额用以建造8英寸SiC晶圆工厂以及相关设施,同时加强行业垂直合作,共同开发高质量8英寸SiC衬底。通过稳定供应SiC功率半导体,以满足电动汽车等市场快速增长的需求。三菱汽车电动汽车用8英寸SiC晶圆以及电动汽车用J3系列EV T-PM。电动汽车用J3系列EV T-PM是三菱电机面向电动汽车市场全新开发的另一重要产品,同一封装兼容RC-IGBT(750V/400A)和SiC(1300V/350A),全面适配中高端车型。