三星引领第九代V-NAND闪存技术量产

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品已投入量产，采用先进通道孔蚀刻技术，位密度较上一代提升约50%。新产品具备更高性能、更低功耗，支持PCIe 5.0，适用于未来AI时代需求。