科友半导体成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备

科友半导体在今年9月成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备，通过优化电阻炉温场、引入缓冲层优化长晶工艺、优化原料区域温度分布，发挥了电阻加热式PVT法碳化硅单晶稳定生长的优势。检测表明，科友半导体8英寸碳化硅衬底产品总腐蚀坑密度控制在2000个cm-2左右，TSD与BPD位错缺陷密度得到有效降低，占同期产出衬底的比例在八成以上。