天科合达SiC衬底项目备案完成，预计年产达37.1万片

北京天科合达半导体股份有限公司的SiC衬底产业化基地二期项目已经完成备案，环评审批现已公示。项目位于北京市大兴新城东南片区，计划建设包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。