三星HBM3E未通过英伟达认证，可能推迟到2025年

据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星今年积极尝试通过英伟达HBM3E认证，希望打入英特尔的供应链。然而，其8层堆叠的HBM3E产品尚未获得认证，预计12层堆叠的产品可能会延迟到2025年第二季度或第三季度才能供应。专家指出，三星HBM的问题在于其核心芯片DRAM。HBM结构是将多个DRAM垂直堆叠连接，DRAM的性能直接影响HBM的性能。因此，人们怀疑用于三星HBM3E的DRAM，即三星1a制程第四代DRAM存在问题。