方正微电子宣布其SiC和GaN产能提升计划

深圳方正微电子有限公司副总裁彭建华于10月16日宣布，公司作为第三代半导体领域的IDM企业，目前拥有两个fab。Fab1的SiC产能已达到9000片/月（6英寸），预计2024年底将提升至1.4万片/月，并在2025年实现16.8万片/年的车规SiC MOS生产能力。同时，GaN产能为4000片/月。Fab2的8英寸SiC生产线将在2024年底投入运行，远期规划产能为6万片/月。彭建华表示，方正微电子的车规SiC MOS生产能力在中国处于领先地位。公司的SiC MOS/SiC SBD 1200V系列产品已在2023年第一季度开始大规模生产，广泛应用于光伏、储能、充电、UPS、工业电源等领域，至今已出货SiC晶圆超过4万片。此外，公司开发的GaN系列功率器件产品也已应用于消费快充、PC电源、服务器电源等场景。