一汽红旗自主研发碳化硅功率芯片成功流片

一汽红旗新能源开发院功率电子开发部于10月23日宣布，他们自主设计的碳化硅功率芯片已经完成了首次流片。这款芯片覆盖了从产品核心指标定义、衬底与外延材料选择、元胞结构设计、动静态性能仿真、工艺仿真、版图设计、晶圆流片到晶圆封测的全链条开发过程。该芯片主要应用于整车电驱动、智慧补能、车载电源、高压配电和电动化底盘等系统，采用了低导通电阻元胞结构、高元胞密度版图、高可靠性终端结构以及片上栅极电阻集成技术。其击穿电压超过了1200V，导通电阻小于15mΩ，旨在实现效率、可靠性、集成化和标准化的均衡设计。