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美国芯片大厂德州仪器 (TI) 宣布，其位于日本会津的工厂已开始生产基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体。随着会津工厂的产能提升，加上其位于德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造工厂产能，德州仪器现在已经将内部生产的基于 GaN 的功率半导体产能提升了4倍以上。凭借十多年的 GaN 芯片设计和制造专业知识，我们已成功认证了 200mm（8英寸）GaN 技术，这是当今制造 GaN 最具可扩展性和成本竞争力的方式，并开始在日本会津进行大规模生产。德州仪器扩大的投资还包括今年早些时候在 300 毫米（12英寸）晶圆上成功开发 GaN 制造工艺的试点。此外，德州仪器 扩大的 GaN 制造工艺完全可转移到 300 毫米技术，使公司能够随时根据客户需求进行扩展，并在未来转向 300 毫米。
