8英寸SiC晶圆制造难点解析

8英寸SiC的制造难点之一在于晶锭生长，由6英寸扩径到8英寸，晶锭生长的难度会成倍增加。8英寸籽晶质量要求更高，同时需要解决大尺寸带来的温场不均匀、气相原料分布和输运效率问题，以及应力增大导致晶体开裂等问题。