三星电子成功开发400层堆叠NAND Flash闪存技术

据韩国媒体报道，三星电子在其半导体研究所中已顺利完成400层堆叠NAND Flash闪存技术的开发。此项技术已在平泽园区一号工厂进行大规模生产转移。此技术的发展将使三星在NAND Flash技术上保持领先地位，领先于已宣布计划量产321层NAND Flash的SK海力士。三星电子计划在2025年2月的国际固态电路会议上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，并预计在2025年下半年开始量产。